Общие сведения и методы получения
Мышьяк (As) — элемент серого металлического цвета в компактном состоянии и серого в диспергированном. Известен с глубокой древности.
Содержание в земной коре 5*10~4 % (по массе).
В природе находится в виде сульфидных руд, иногда в свободном состоянии. Основные минералы: орпимент AS2S3, реальгар AS2S4 и арсе-нопирит FeAsS. Сульфиды мышьяка встречаются вместе с сульфидами других металлов (железа, никеля, кобальта).
Сырой (необработанный) элементарный мышьяк получают восстановлением его оксида углеродом или обжигом сульфидов до оксидов с последующим их восстановлением. Получение ультрачистого мышьяка связано главным образом с производством полупроводниковых арсепидов с большой подвижностью носителей. Принципиально ультрачистый мышьяк может быть получен следующими методами:
— вакуумная возгонка;
— возгонка в водороде при повышенных температурах;
— дистилляция из раствора в свинце;
— выращивание монокристаллов мышьяка методом Бриджмена;
— восстановление оксида (III) мышьяка;
— восстановление треххлористого мышьяка;
— термическое разложение арсина (мышьяковистого водорода);
— электроосаждение;
— парозонная очистка;
— зонная очистка арсенидов.
При определении содержания микропримесей в ультрачистом мышьяке используют нейтронный активационный анализ и эмиссионную спектроскопию.
Большинство перечисленных методов очистки мышьяка связано с удалением серы и селена, являющихся донорами в арсенидах индия и галлия. Неблагоприятный коэффициент распределения не позволяет удалить серу и селен зонной очисткой непосредственно из этих соединений. Из перечисленных выше методов наиболее эффективны для удаления серы, селена и теллура три: дистилляция мышьяка из его раствора в свинце, выращивание монокристаллов мышьяка по методу Бриджмена и термическое разложение чистого арсина.
Плавка и выращивание монокристаллов мышьяка из расплава проводится в толстостенных кварцевых ампулах, способных выдерживать внутреннее давление не менее 100 атм. При выращивании монокристаллов по методу Бриджмена запаянную под вакуумом трубу помещают в вертикальную печь с температурой 840 °С. Мышьяк плавится, и труба опускается вниз со скоростью 1 см/ч.
В чистом виде мышьяк не ядовит, но соединения его токсичны. Соедииения со степенью окисления +3 мышьяка действуют значительно
сильнее, чем соединения со степенью окисления +5. Мышьяковистый водород — сильный гемолитический яд, треххлористый мышьяк сильно раздражает слизистую оболочку. Еще более сильное раздражающее действие оказывают арсины. Некоторые из соединений мышьяка обще-ядовиты. Одним из возможных путей отравления является вдыхание соединений мышьяка в виде пыли или капелек из растворов. Меры предосторожности: максимальная механизация и автоматизация работ, герметичность тары, уменьшение выделения пыли и непосредственного контакта с соединениями мышьяка, вентиляция производственных помещений, дегазация спецодежды, спецпитание, богатое белками и витаминами.
Физические свойства
Атомные характеристики. Атомный номер 33, атомная масса 74,9216 а. е. м., атомный объем 12,98*10-6 м3/моль. Атомный радиус 0,148 нм, ионный радиус As5+ —0,047 им, As3+ —0,069 нм, As3" —0,191 им. Электронная конфигурация изолированного атома мышьяка: 4s2 4р3.
Кристаллическая структура ромбоэдрическая с периодом: а = = 0,4131 нм, а = 54°10'; координационное число 3; 3. Расстояние между атомами внутри одного слоя 0,251 нм, в соседних слоях 0,315 нм («.-модификация). Энергия кристаллической решетки 254,2 мкДж/кмоль.
Известна ромбическая сиигония мышьяка с периодами: а=0,963 нм, 6 = 0,445 нм, с= 1,096 нм (В-модификация).
Потенциалы ионизации /(эВ): 9,81; 18,7; 28,3. Электроотрицательность 2,0.
Химические свойства
Нормальный электродный потенциал реакции As+2H20 —3 e<=bHAs02+ +ЗН+, сро =0,25 В.
В соединениях проявляет степень окисления +5, +3, —3. На воздухе при комнатной температуре мышьяк очень медленно окисляется с поверхности. В диспергированном состоянии быстро переходит в As203.
При воздействии азотной кислоты и царской водки образуется мышьяковая кислота. Соляная кислота действует медленно и только в присутствии воздуха. Водные растворы щелочей с мышьяком не взаимодействуют.
С кислородом мышьяк образует оксиды As ?03 и As2Os.
Гидриды мышьяка (твердые) получить очень трудно. Имеются сведения о получении AsH 0 ,62. Гидрид мышьяка AsH3 выделяется при гидролизе AlAs.
Известно соединение AsN, которое может быть получено прямым взаимодействием мышьяка с активированным азотом.
Мышьяк активно взаимодействует с серой, селеном и теллуром, образуя соединения As2S3, As2Se3, As2Te3 (соединения типа A V BVI). As2S3 и As2Se3 при кристаллизации из расплавов склонны к стеклообразова-нию, что нехарактерно для As 2 Te3. Ширина запрещенной зоны кристаллических образцов As 2 S3 и As2Se3 равна 2,5 и 2,1 эВ соответственно. У сульфида мышьяка возрастает фотопроводимость от длинноволновой границы в сторону коротких волн. AsjTe3 —полупроводник я-типа с шириной запрещенной зоны 1 эВ.
В системе мышьяк—фосфор наблюдается широкая область твердых растворов [от 26 до 100 % (ат.)]; в интервале концентраций от 13 до 26 % (ат.) фосфора существует двухфазная область. Предполагается существование соединения AsP.
Существует небольшая взаимная растворимость мышьяка и кремния. Растворимость мышьяка в кремнии составляет при 1027 °С 1 ,5 -1021 атом/см3, т. е. 3 % (ат.). Известны соединения SiAs и SiAs2.
При взаимодействии мышьяка с щелочными металлами образуются соединения типа A\Byи А1ВУ. Слитием мышьяк дает соединения Li 2 As (С,л =1000 °С) и LiAs (гПч =550 °С).
С металлами II группы Периодической системы мышьяк образует не. сколько химических соединений. Соединения типа AUBVбыли первыми, У которых открыты полупроводниковые свойства задолго до их обнаружения у германия и кремния. Соединение Cd3As2 нашло практическое применение. Многим соединениям типа А^В^ свойственны превращения в твердом состоянии. В системах мышьяк — стронций и мышьяк — магний установлено существование соединений Sr3As2 и Mg3As2. Предполагается существование в этих системах более богатых мышьяком соединений. Соединения типа Л11/}^ склонны к сильному переохлаждению, а диарсенид кадмия CdAs2 можно легко получить в стеклообразном состоянии. Цинк и кадмий образуют с мышьяком по два соединения Zn3As2, ZnAs2 и соответственно Cd3As2 и CdAs2. Все эти соединения в поли- и монокристаллическом состоянии являются полупроводниками с дырочной или электронной проводимостью с шириной запрещенной зоны от 1,14 до 0,25 эВ.
С алюминием, галлием и индием мышьяк образует арсениды AlAs, GaAs и InAs, имеющие большое практическое значение как полупроводниковые материалы. С редкоземельными металлами мышьяк образует соединения с г. ц. к. решеткой типа NaCl.
В изученных системах мышьяка с другими переходными металлами наблюдается образование одного или нескольких соединений стехиомет-рического состава. Многие из них проявляют полупроводниковые свойства. В системах имеют место эвтектические превращения.
Технологические свойства
Данные о способах обработки мышьяка практически отсутствуют. Мышьяк характеризуется сравнительно высокой твердостью и хрупкостью при комнатной температуре. Резкое разупрочнение наблюдается при температурах выше 200 °С.
Области применения
Мышьяк давно используют в медицине и в сельском хозяйстве. Арсенид натрия Na2HAs03 применяют для уничтожения сорных трав, для борьбы с вредителями сельского хозяйства, в животноводстве для борьбы с паразитами.
Мышьяковистый ангидрид As205 применяют как неизбирательный гербицид, а также антисептик для пропитки древесины. Кроме того, он входит в состав ряда патентованных препаратов.
Двойная соль уксуснокислой и метамышьяковистой меди Cu(CH3COO)2-2Cu(As02)2 (швейнфуртская или парижская зелень) является красителем, находит применение также для борьбы с вредителями сельского хозяйства, с личинками малярийного комара.
Арсенид магния используют в качестве люминофора при изготовлении люминесцентных ламп.
As203 применяют для обесцвечивания стекла, консервирования кож и мехов.
Мышьяк технической чистоты является легирующей добавкой для некоторых цветных сплавов, например для сплавов меди и свинца (при производстве дроби).
Ультрачистый мышьяк имеет исключительно важное значение в производстве полупроводниковых материалов.
Особое место среди этих материалов занимает арсенид галлия GaAs, обладающий уникальными электрофизическими свойствами: большой шириной запрещенной зоны, малой эффективной массой и большой подвижностью электронов. Арсенид галлия перспективен для изготовления туннельных и излучательиых диодов, СВЧ-диодов и диодов Ганна, биполярных и полевых транзисторов, импульсных и переключающих приборов и инжекционных лазеров и т. д. Предполагается, что интегральные схемы на основе арсеиида галлия будут иметь преимущество в оп-тоэлектронике и СВЧ-технике.
Арсенид индия также характеризуется малой эффективной массой и высокой подвижностью носителей тока. На арсениде индия были получены р—я-переходы, которые дают значительные по величине фото-э. д. с. Постоянная времени фотоэлемента, изготовленного из арсенида индия, 7 мкс. Арсенид индия — один из наиболее перспективных материалов для изготовления сверхвысокочастотных транзисторов, предназначенных для работы при низких температурах, а также один из лучших материалов для термоэлектрогенераторов и инфракрасных детекторов.
Широко применяется в качестве полупроводниковых материалов Cd3As2.