Физика · 10 класс4 четвертьТема 2Лабораторная работаГОСО РК 2026Средний

Электрический ток в различных средах. Полупроводники и электролиз

Носители заряда в металлах, электролитах, газах, вакууме и полупроводниках. Законы электролиза Фарадея: m = k · I · t. Собственная и примесная проводимость полупроводников (электроны и дырки, p-n переход, полупроводниковый диод). Самостоятельный и несамостоятельный разряды в газах.

Время изучения~75 минтеория + практика
Разделы темы5 разд.пошаговый разбор
Тест темы2 вопр.с мгновенным ответом
СОР / СОЧ4 четвертьдескрипторы ГОСО

Электрический ток в металлах представляет собой упорядоченное (направленное) движение свободных электронов под действием электрического поля.

Экспериментальные доказательства электронной природы тока:

1. Опыт Рикке (1901 г.): через три плотно прижатых цилиндра (медь — алюминий — медь) пропускали электрический ток в течение более года (протек заряд свыше 3.5 · 10⁶ Кл). Химический и спектральный анализ показал полное отсутствие диффузии атомов меди в алюминий, доказав, что ток переносится не ионами вещества, а одинаковыми для всех металлов частицами — электронами;

2. Опыты Мандельштама — Папалекси (1913 г.) и Стюарта — Толмена (1916 г.): катушку с проводом приводили в быстрое вращение и резко тормозили. По инерции свободные электроны продолжали двигаться, создавая кратковременный импульс тока в цепи гальванометра. По направлению тока и заряду было доказано, что носители заряжены отрицательно, а их удельный заряд e/m в точности совпал с удельным зарядом электрона.

Зависимость сопротивления металлов от температуры:

При нагревании металла амплитуда тепловых колебаний ионов кристаллической решетки возрастает, и электроны чаще рассеиваются на узлах решетки. Сопротивление металлических проводников линейно растет с температурой:

R=R0⋅(1+α⋅t)R = R_0 \cdot (1 + α \cdot t),

где R₀ — сопротивление при 0 °C, t — температура в °C, α — температурный коэффициент сопротивления (для чистых металлов α ≈ 1/273 К⁻¹ ≈ 0.0037–0.004 К⁻¹).

ОПЫТ РИККЕ

Нет переноса вещества

Через стык Cu-Al протекли миллионы кулонов заряда без переноса массы вещества металла.
ИОНЫ В УЗЛАХ

Рассеяние электронов

Тепловые колебания решетки создают препятствия дрейфу свободных электронов, увеличивая R.
Сопротивление металлов от TТермометры сопротивления
R=R0⋅(1+α⋅t);ρ=ρ0⋅(1+α⋅t);α=(R−R0)/(R0⋅t)R = R_0 \cdot (1 + α \cdot t);\quad \rho = \rho _0 \cdot (1 + α \cdot t);\quad α = (R - R_0) / (R_0 \cdot t)
где R — сопротивление при температуре t °C, R₀ — сопротивление при 0 °C, α — температурный коэффициент сопротивления (К⁻¹).
Термометры сопротивления
Линейный характер зависимости R(T) позволяет использовать платиновые и медные датчики в качестве высокоточных термометров сопротивления.

Сверхпроводимость — квантовое макроскопическое явление, заключающееся в полном скачкообразном исчезновении электрического сопротивления вещества при охлаждении ниже критической температуры Tкр.

Открытие явления:

В 1911 году нидерландский физик Хейке Камерлинг-Оннес в Лейденской лаборатории впервые ожижил гелий (температура кипения 4.2 К). Измеряя сопротивление замороженной ртути, он обнаружил, что при температуре Tкр = 4.15 К электрическое сопротивление ртути мгновенно и скачкообразно упало до строго нуля!

Фундаментальные свойства сверхпроводников:

1. Строго нулевое омическое сопротивление (R = 0): электрический ток, запущенный в замкнутое сверхпроводящее кольцо, циркулирует в нем годами без затухания и без подвода внешней энергии;

2. Эффект Мейснера — Оксенфельда (1933 г.): полное выталкивание постоянного магнитного поля из объема сверхпроводника (магнитная индукция внутри B = 0). Сверхпроводник ведет себя как идеальный диамагнетик, что порождает явление магнитной левитации (магнит парит над охлажденным сверхпроводником);

3. Разрушение сверхпроводимости: сверхпроводящее состояние мгновенно разрушается при повышении температуры выше Tкр, при превышении критической силы тока Iкр или критического магнитного поля Bкр.

Высокотемпературная сверхпроводимость (ВТСП):

В 1986 году Беднорц и Мюллер открыли сверхпроводимость в сложных купратных керамиках (YBCO) при температурах выше 77 Кельвинов (температура кипения дешевого жидкого азота). Это открыло путь к широкому промышленному применению сверхпроводников в магнитно-резонансной томографии (МРТ), поездах на магнитной подушке (Maglev) и термоядерных токамаках.

R = 0

Безубыточный ток

Полное отсутствие сопротивления позволяет передавать гигантские токи без тепловых потерь Джоуля.
ЭФФЕКТ МЕЙСНЕРА

Магнитная левитация

Выталкивание силовых линий магнитного поля из объема сверхпроводника заставляет магнит висеть в воздухе.

Электролиты — растворы или расплавы солей, кислот и щелочей, проводящие электрический ток. Носителями заряда в электролитах являются положительные и отрицательные ионы (ионная проводимость).

Электролитическая диссоциация — распад нейтральных молекул растворенного вещества на ионы под действием полярных молекул растворителя (воды). При пропускании тока положительные ионы (катионы: H⁺, Cu²⁺) движутся к отрицательному катоду, а отрицательные ионы (анионы: OH⁻, Cl⁻, SO₄²⁻) — к положительному аноду.

Электролиз — совокупность электрохимических окислительно-восстановительных процессов, протекающих на погруженных в электролит электродах при прохождении тока, сопровождающихся выделением вещества.

Законы электролиза Майкла Фарадея (1833 г.):

1. Первый закон Фарадея: масса вещества m, выделившегося на электроде, прямо пропорциональна электрическому заряду q, прошедшему через электролит:

m=k⋅q=k⋅I⋅tm = k \cdot q = k \cdot I \cdot t,

где k — электрохимический эквивалент вещества (в СИ измеряется в кг/Кл).

2. Второй закон Фарадея: электрохимический эквивалент k прямо пропорционален химическому эквиваленту вещества (отношению молярной массы M к валентности z):

k=(1/F)⋅(M/z)k = (1 / F) \cdot (M / z),

где F = e · NA ≈ 96485 Кл/моль — постоянная Фарадея (заряд 1 моля электронов).

Объединенный закон Фарадея:

m=(1/F)⋅(M/z)⋅I⋅t=(M⋅I⋅t)/(z⋅F)m = (1 / F) \cdot (M / z) \cdot I \cdot t = (M \cdot I \cdot t) / (z \cdot F).

Применение электролиза: промышленная выплавка алюминия, рафинирование меди, гальваностегия (хромирование, никелирование) и гальванопластика.

ИОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ

Диссоциация

Растворитель разрывает молекулы соли на подвижные катионы и анионы.
ГАЛЬВАНОСТЕГИЯ

Антикоррозия

Электролитическое нанесение тонкого слоя защитного металла (цинк, хром, никель, золото) на детали.
Законы электролиза ФарадеяПеренос массы
m=k⋅I⋅t=(M/(z⋅F))⋅I⋅t;F=e⋅NA≈96485Кл/мольm = k \cdot I \cdot t = (M / (z \cdot F)) \cdot I \cdot t;\quad F = e \cdot N_A \approx 96485 Кл/моль
где m — масса выделившегося вещества (кг), k — электрохимический эквивалент (кг/Кл), I — ток (А), t — время (с), M — молярная масса (кг/моль), z — валентность иона.
Перенос массы
В отличие от металлов, прохождение электрического тока через электролит ВСЕГДА сопровождается переносом массы вещества и химическими реакциями!

Полупроводники (кремний Si, германий Ge, арсенид галлия GaAs) занимают промежуточное положение по удельной проводимости между металлами и диэлектриками. В отличие от металлов, с ростом температуры сопротивление полупроводников не растет, а экспоненциально падает!

1. Собственная проводимость (чистый Si):

Атомы кремния образуют ковалентные связи четырьмя валентными электронами. При нагреве или освещении тепловые кванты разрывают связи, порождая пару свободных носителей: свободный электрон проводимости и вакантное место с нескомпенсированным плюсом — дырку. Проводимость чистых полупроводников называется электронно-дырочной.

2. Примесная проводимость:

• Донорная примесь (пятивалентные фосфор P, мышьяк As в решетке четырехвалентного Si): пятый электрон легко отрывается и становится свободным. Преобладают электроны — полупроводник n-типа (negative);

• Акцепторная примесь (трехвалентные бор B, индий In): не хватает одного электрона для завершения связи, захватывается электрон от соседнего кремния, порождая дырку. Преобладают дырки — полупроводник p-типа (positive).

3. Электронно-дырочный переход (p-n переход):

Область соприкосновения двух полупроводников p- и n-типа обладает односторонней проводимостью:

• Прямое включение (+ к p, - к n): основные носители преодолевают запирающий слой, через переход течет сильный прямой ток;

• Обратное включение (+ к n, - к p): внешнее поле расширяет обедненную зону, ток практически равен нулю.

На свойстве p-n перехода основана вся современная микроэлектроника: полупроводниковые диоды, транзисторы, микропроцессоры, солнечные элементы и светодиоды (LED).

p-n ПЕРЕХОД

Односторонняя проводимость

Пропускает ток только в одном направлении, работая идеальным электронным клапаном (диод).
СВЕТОДИОД (LED)

Рекомбинация пар

При прямом токе электроны и дырки рекомбинируют, испуская кванты видимого света с высоким КПД.

1. Ток в газах (газовый разряд):

В нормальных условиях газы являются отличными диэлектриками (состоят из нейтральных атомов). Прохождение тока через газ называют газовым разрядом. Для возникновения тока необходима ионизация (нагревом, ультрафиолетом, рентгеном).

• Несамостоятельный разряд — существует только при непрерывном действии внешнего ионизатора (при его отключении ток быстро затухает);

• Самостоятельный разряд — продолжается после прекращения действия ионизатора за счет лавинной ударной ионизации нейтральных молекул ускоренными электронами.

Виды самостоятельного газового разряда:

• Тлеющий разряд: при низких давлениях, холодное свечение (рекламные неоновые трубки, люминесцентные лампы);

• Дуговой разряд: при высокой плотности тока и раскаленных электродах (электросварка, металлургические печи, прожекторы);

• Искровой разряд: при высоком напряжении в виде ветвящихся светящихся каналов (молния, свеча зажигания двигателя);

• Коронный разряд: у заостренных предметов при высокой напряженности поля (огни святого Эльма, потери на высоковольтных ЛЭП).

2. Плазма — четвертое состояние вещества, представляющее собой частично или полностью ионизованный квазинейтральный газ. В состоянии плазмы находится более 99% видимой материи Вселенной (Солнце, звезды, межзвездные туманности, ионосфера Земли).

3. Ток в вакууме и термоэлектронная эмиссия:

В глубоком вакууме отсутствуют молекулы. Для создания тока используют термоэлектронную эмиссию — испускание электронов поверхностью нагретых металлов (накаленный катод в вакуумном диоде или электронной пушке кинескопа).

ПЛАЗМА

Ионизованный газ

Квазинейтральная система из свободных электронов и ионов; доминирует во Вселенной.
ТЕРМОЭМИССИЯ

Ток в вакууме

Вылет электронов из раскаленного катода лежит в основе работы мощных радиоламп и рентгеновских трубок.
Ваш прогресс по теме25%
Шпаргалка формул10 класс
Количество вещества:
ν=N/NA=m/M \nu = N / N_A = m / M[моль]
Основное уравнение МКТ газов:
p=1/3⋅n⋅m0⋅vкв2=2/3⋅n⋅Ekp = 1/3 \cdot n \cdot m_0 \cdot v_{\text{кв}}^2 = 2/3 \cdot n \cdot E_k[Па]
Связь температуры и кинетической энергии:
Ek=3/2⋅k⋅TE_k = 3/2 \cdot k \cdot T[Дж]
Давление идеального газа:
p=n⋅k⋅Tp = n \cdot k \cdot T[Па]
Следующая тема

Магнитное поле. Сила Ампера и сила Лоренца

Перейти к теме →